Справочник MOSFET. HSW6604

 

HSW6604 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HSW6604

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 2.7 nC

Время нарастания (tr): 3.1 ns

Выходная емкость (Cd): 49 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.048 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

Аналог (замена) для HSW6604

 

 

HSW6604 Datasheet (PDF)

0.1. hsw6604.pdf Size:605K _huashuo

HSW6604
HSW6604

HSW6604 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW6604 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 20V 38m 4A high cell density, which provide excellent RDSON -20V 64m -3A and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. The HSW6604 meet the RoHS and Green Product

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top