HSW6604 - описание и поиск аналогов

 

HSW6604. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSW6604

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

Аналог (замена) для HSW6604

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSW6604 даташит

 ..1. Size:605K  huashuo
 hsw6604.pdf pdf_icon

HSW6604

HSW6604 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW6604 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 20V 38m 4A high cell density, which provide excellent RDSON -20V 64m -3A and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. The HSW6604 meet the RoHS and Green Product

Другие MOSFET... HSU6903 , HSU70P06 , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , STP80NF70 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , FTB07N08N , FTP02N04NA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.