HSW6800 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSW6800

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

 Búsqueda de reemplazo de HSW6800 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSW6800 datasheet

 ..1. Size:416K  huashuo
 hsw6800.pdf pdf_icon

HSW6800

HSW6800 Dual N-CH Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW6800 is the high cell density trenched N- VDS 30 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),max 45 m and load switch applications. ID 4 A The HSW6800 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved

 9.1. Size:398K  huashuo
 hsw6811.pdf pdf_icon

HSW6800

HSW6811 Dual P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSW6811 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),typ 115 m and load switch applications. ID -2 A The HSW6811 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appro

Otros transistores... HSU70P06, HSU80N03, HSU90N02, HSU90N03, HSW2N15, HSW3415, HSW4602, HSW6604, IRFP450, HSW6811, HSW8205, HSW8810, MMN1000DB010B, MMN200H010X, FTB07N08N, FTP02N04NA, RU20P7C-I