Справочник MOSFET. HSW6800

 

HSW6800 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HSW6800

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 9.5 nC

Время нарастания (tr): 4.9 ns

Выходная емкость (Cd): 99 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

Аналог (замена) для HSW6800

 

 

HSW6800 Datasheet (PDF)

0.1. hsw6800.pdf Size:416K _huashuo

HSW6800
HSW6800

HSW6800 Dual N-CH Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW6800 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),max 45 m and load switch applications. ID 4 A The HSW6800 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved

9.1. hsw6811.pdf Size:398K _huashuo

HSW6800
HSW6800

HSW6811 Dual P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSW6811 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),typ 115 m and load switch applications. ID -2 A The HSW6811 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appro

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top