HSW6800 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги HSW6800. Основные параметры


   Наименование производителя: HSW6800
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для HSW6800

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSW6800 даташит

 ..1. Size:416K  huashuo
 hsw6800.pdf pdf_icon

HSW6800

HSW6800 Dual N-CH Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW6800 is the high cell density trenched N- VDS 30 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),max 45 m and load switch applications. ID 4 A The HSW6800 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved

 9.1. Size:398K  huashuo
 hsw6811.pdf pdf_icon

HSW6800

HSW6811 Dual P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSW6811 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),typ 115 m and load switch applications. ID -2 A The HSW6811 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appro

Другие MOSFET... HSU70P06 , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , IRFP450 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , FTB07N08N , FTP02N04NA , RU20P7C-I .

 

 
Back to Top

 


 
.