HSW8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSW8205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6
Búsqueda de reemplazo de HSW8205 MOSFET
HSW8205 Datasheet (PDF)
hsw8205.pdf

HSW8205 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSW8205 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs. This product is suitable for Lithium-ion RDS(ON),max 28 m battery pack applications. The HSW8205 meet the RoHS and Green Product ID 4.6 A requirement with full function reliability approved. l Green Device Available l Super Low Gate C
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History: HSM3305 | BLP028N10-P | P8315AD | HYG020N04NA1P | HYG020N04NA1B | SFF20N60N
History: HSM3305 | BLP028N10-P | P8315AD | HYG020N04NA1P | HYG020N04NA1B | SFF20N60N



Liste
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