HSW8205 Todos los transistores

 

HSW8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSW8205

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 20 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 12 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 1.5 V

Carga de compuerta (Qg): 6.1 nC

Tiempo de elevación (tr): 8.2 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 124 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.028 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23-6

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HSW8205 Datasheet (PDF)

0.1. hsw8205.pdf Size:1798K _huashuo

HSW8205
HSW8205

HSW8205 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSW8205 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs. This product is suitable for Lithium-ion RDS(ON),max 28 m battery pack applications. The HSW8205 meet the RoHS and Green Product ID 4.6 A requirement with full function reliability approved. l Green Device Available l Super Low Gate C

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