HSW8205 Todos los transistores

 

HSW8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSW8205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6
 

 Búsqueda de reemplazo de HSW8205 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSW8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1798K  huashuo
 hsw8205.pdf pdf_icon

HSW8205

HSW8205 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSW8205 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs. This product is suitable for Lithium-ion RDS(ON),max 28 m battery pack applications. The HSW8205 meet the RoHS and Green Product ID 4.6 A requirement with full function reliability approved. l Green Device Available l Super Low Gate C

Otros transistores... HSU90N02 , HSU90N03 , HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , P60NF06 , HSW8810 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , FTB07N08N , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A .

History: HGP068N15S | ELM17408GA

 

 
Back to Top

 


 
.