Справочник MOSFET. HSW8205

 

HSW8205 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HSW8205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 6.1 nC

Время нарастания (tr): 8.2 ns

Выходная емкость (Cd): 124 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

Аналог (замена) для HSW8205

 

 

HSW8205 Datasheet (PDF)

0.1. hsw8205.pdf Size:1798K _huashuo

HSW8205 HSW8205

HSW8205 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSW8205 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs. This product is suitable for Lithium-ion RDS(ON),max 28 m battery pack applications. The HSW8205 meet the RoHS and Green Product ID 4.6 A requirement with full function reliability approved. l Green Device Available l Super Low Gate C

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top