HSW8205 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSW8205  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HSW8205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSW8205 даташит

 ..1. Size:1798K  huashuo
 hsw8205.pdf pdf_icon

HSW8205

HSW8205 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSW8205 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs. This product is suitable for Lithium-ion RDS(ON),max 28 m battery pack applications. The HSW8205 meet the RoHS and Green Product ID 4.6 A requirement with full function reliability approved. l Green Device Available l Super Low Gate C

Другие IGBT... HSU90N02, HSU90N03, HSW2N15, HSW3415, HSW4602, HSW6604, HSW6800, HSW6811, 5N60, HSW8810, MMN1000DB010B, MMN200H010X, FTB07N08N, FTP02N04NA, RU20P7C-I, HX2300, HX2300A