HSW8810 Todos los transistores

 

HSW8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSW8810

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 20 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 12 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 1.2 V

Carga de compuerta (Qg): 10.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 9.8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 66 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23-6

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HSW8810 Datasheet (PDF)

0.1. hsw8810.pdf Size:587K _huashuo

HSW8810
HSW8810

HSW8810 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSW8810 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),max 20 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 6 A The HSW8810 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Green Device Availabl

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