HSW8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSW8810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSW8810

HSW8810 Datasheet (PDF)

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hsw8810.pdf

HSW8810 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSW8810 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),max 20 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 6 A The HSW8810 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Green Device Availabl

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