Справочник MOSFET. HSW8810

 

HSW8810 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HSW8810

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 10.4 nC

Время нарастания (tr): 9.8 ns

Выходная емкость (Cd): 66 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

Аналог (замена) для HSW8810

 

 

HSW8810 Datasheet (PDF)

0.1. hsw8810.pdf Size:587K _huashuo

HSW8810 HSW8810

HSW8810 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSW8810 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),max 20 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 6 A The HSW8810 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Green Device Availabl

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top