Справочник MOSFET. HSW8810

 

HSW8810 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSW8810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для HSW8810

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSW8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  huashuo
 hsw8810.pdf pdf_icon

HSW8810

HSW8810 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSW8810 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),max 20 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 6 A The HSW8810 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Green Device Availabl

Другие MOSFET... HSU90N03 , HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , 18N50 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , FTB07N08N , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SVF2N70MN .

History: AOTS32334C | QM2607C1 | SSFM8005

 

 
Back to Top

 


 
.