HSW8810 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HSW8810
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
Аналог (замена) для HSW8810
HSW8810 Datasheet (PDF)
hsw8810.pdf

HSW8810 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSW8810 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),max 20 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 6 A The HSW8810 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Green Device Availabl
Другие MOSFET... HSU90N03 , HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , 18N50 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , FTB07N08N , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SVF2N70MN .
History: HSS2310A | NCE40H21 | NCE4606A | NCE65TF360D | HM4264B | HM4302 | HSS2301C
History: HSS2310A | NCE40H21 | NCE4606A | NCE65TF360D | HM4264B | HM4302 | HSS2301C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MP20N40P | MP18N20 | MP180N06P | MP150N08P | MP11P20 | MLS65R580D | MLS65R380D | MLS60R380D | MDT9N20 | MDT7N65 | MDT70N03 | MDT60NF06D | MDT60N10D | MDT60N06D | MDT5N65 | MPG100N08P
Popular searches
2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent