MMN1000DB010B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMN1000DB010B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1360 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1250 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 1320 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075 Ohm
Paquete / Cubierta: MODULE
MMN1000DB010B Datasheet (PDF)
mmn1000db010b.pdf

MMN1000DB010B100V 1000A N-ch Power MOSFET Module March 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=0.57m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 10K Gate Protected Resistance InsideAPPLICATIONS High efficiency DC/DC Converters Synchronous RectifierVDS IDVDS IDType RDS(ON) max TJ=25 T
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: FDMC4435BZ | HGN027N06S | PHT8N06LT | IXFR24N50Q | AONS32310 | GM8205D | AP040N03G
History: FDMC4435BZ | HGN027N06S | PHT8N06LT | IXFR24N50Q | AONS32310 | GM8205D | AP040N03G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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