MMN1000DB010B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMN1000DB010B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1360 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1250 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1320 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

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MMN1000DB010B Datasheet (PDF)

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mmn1000db010b.pdf

MMN1000DB010B100V 1000A N-ch Power MOSFET Module March 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=0.57m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 10K Gate Protected Resistance InsideAPPLICATIONS High efficiency DC/DC Converters Synchronous RectifierVDS IDVDS IDType RDS(ON) max TJ=25 T

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Liste

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