MMN1000DB010B Todos los transistores

 

MMN1000DB010B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN1000DB010B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1360 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1250 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075 Ohm

Encapsulados: MODULE

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MMN1000DB010B datasheet

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MMN1000DB010B

MMN1000DB010B 100V 1000A N-ch Power MOSFET Module March 2016 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=0.57m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 10K Gate Protected Resistance Inside APPLICATIONS High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectifier VDS ID VDS ID Type RDS(ON) max TJ=25 T

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