MMN1000DB010B - описание и поиск аналогов

 

MMN1000DB010B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN1000DB010B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1360 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1250 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075 Ohm

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для MMN1000DB010B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN1000DB010B даташит

 ..1. Size:771K  macmic
 mmn1000db010b.pdf pdf_icon

MMN1000DB010B

MMN1000DB010B 100V 1000A N-ch Power MOSFET Module March 2016 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=0.57m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 10K Gate Protected Resistance Inside APPLICATIONS High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectifier VDS ID VDS ID Type RDS(ON) max TJ=25 T

Другие MOSFET... HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , 4N60 , MMN200H010X , FTB07N08N , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SVF2N70MN , SVF3878PN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.