Справочник MOSFET. MMN1000DB010B

 

MMN1000DB010B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN1000DB010B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1250 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MMN1000DB010B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN1000DB010B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:771K  macmic
 mmn1000db010b.pdf pdf_icon

MMN1000DB010B

MMN1000DB010B100V 1000A N-ch Power MOSFET Module March 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=0.57m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 10K Gate Protected Resistance InsideAPPLICATIONS High efficiency DC/DC Converters Synchronous RectifierVDS IDVDS IDType RDS(ON) max TJ=25 T

Другие MOSFET... HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , 10N65 , MMN200H010X , FTB07N08N , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SVF2N70MN , SVF3878PN .

History: IRF540ZSPBF | CMRDM3590 | PSMN5R0-100PS

 

 
Back to Top

 


 
.