MMN200H010X Todos los transistores

 

MMN200H010X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN200H010X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 275 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

 Búsqueda de reemplazo de MMN200H010X MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MMN200H010X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  macmic
 mmn200h010x.pdf pdf_icon

MMN200H010X

MMN200H010X 100V 200A MOSFET Module April 2012 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES N-channel,very low on-resistance R DS(on) 175operating temperature Solderable pins for PCB mounting Temperature sense included APPLICATIONS AC motor control Motion/servo control Inverter and power supplies INVERTER SECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RA

Otros transistores... HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B , STF13NM60N , FTB07N08N , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SVF2N70MN , SVF3878PN , SVF3N80M .

 

 
Back to Top

 


 
.