MMN200H010X Todos los transistores

 

MMN200H010X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN200H010X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 275 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MMN200H010X Datasheet (PDF)

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MMN200H010X

MMN200H010X 100V 200A MOSFET Module April 2012 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES N-channel,very low on-resistance R DS(on) 175operating temperature Solderable pins for PCB mounting Temperature sense included APPLICATIONS AC motor control Motion/servo control Inverter and power supplies INVERTER SECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RA

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History: FXN0507C | FTB07N08N | FXN0607CN | AO3435 | CJ3439KDW | FXN07N10NS

 

 
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