MMN200H010X Todos los transistores

 

MMN200H010X MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN200H010X

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 275 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm

Encapsulados: MODULE

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MMN200H010X datasheet

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MMN200H010X

MMN200H010X 100V 200A MOSFET Module April 2012 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES N-channel,very low on-resistance R DS(on) 175 operating temperature Solderable pins for PCB mounting Temperature sense included APPLICATIONS AC motor control Motion/servo control Inverter and power supplies INVERTER SECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RA

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