Справочник MOSFET. MMN200H010X

 

MMN200H010X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMN200H010X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 190 nC
   trⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MMN200H010X

 

 

MMN200H010X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  macmic
 mmn200h010x.pdf

MMN200H010X MMN200H010X

MMN200H010X 100V 200A MOSFET Module April 2012 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES N-channel,very low on-resistance R DS(on) 175operating temperature Solderable pins for PCB mounting Temperature sense included APPLICATIONS AC motor control Motion/servo control Inverter and power supplies INVERTER SECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top