Справочник MOSFET. MMN200H010X

 

MMN200H010X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN200H010X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MMN200H010X

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN200H010X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  macmic
 mmn200h010x.pdf pdf_icon

MMN200H010X

MMN200H010X 100V 200A MOSFET Module April 2012 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES N-channel,very low on-resistance R DS(on) 175operating temperature Solderable pins for PCB mounting Temperature sense included APPLICATIONS AC motor control Motion/servo control Inverter and power supplies INVERTER SECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие MOSFET... HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B , STF13NM60N , FTB07N08N , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SVF2N70MN , SVF3878PN , SVF3N80M .

History: QM04N60F | MPSW60M082 | STS10P4LLF6 | AP9974BGP | FTK4N65F | OSG60R1K8PF | FXN0507C

 

 
Back to Top

 


 
.