MMN200H010X - описание и поиск аналогов

 

MMN200H010X. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN200H010X

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для MMN200H010X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN200H010X даташит

 ..1. Size:238K  macmic
 mmn200h010x.pdf pdf_icon

MMN200H010X

MMN200H010X 100V 200A MOSFET Module April 2012 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES N-channel,very low on-resistance R DS(on) 175 operating temperature Solderable pins for PCB mounting Temperature sense included APPLICATIONS AC motor control Motion/servo control Inverter and power supplies INVERTER SECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие MOSFET... HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B , IRFP250 , FTB07N08N , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SVF2N70MN , SVF3878PN , SVF3N80M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.