SVF4N60RD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF4N60RD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 26.36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF4N60RD
SVF4N60RD Datasheet (PDF)
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SVF4N60RD(M) 4A600V N SVF4N60RD(M) N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf
SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc
svf4n60d svf4n60f svf4n60t svf4n60m.pdf
SVF4N60D/F/T/M 4A600V N SVF4N60D/F/T/M N MOS F-CellTM VDMOS
svf4n60f svf4n60t svf4n60dtr svf4n60m.pdf
SVF4N60D/F/T/M 4A600V N 2SVF4N60D/F/T/M N MOS F-CellTM VDMOS 113TO-252-2L3
svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cat svf4n60cadtr svf4n60camn svf4n60camj.pdf
SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ 4A600V N 2 SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ N MOS 13 F-CellTM VDMOS 1TO-252-2L3
svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf
SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ 4A600V N SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ N MOS F-CellTM VDMOS
svf4n60cafj.pdf
SVF4N60CAFJ 4A600V N 2SVF4N60CAFJ N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2.
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918