SVF4N60RD MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF4N60RD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF4N60RD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26.36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: TO252

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SVF4N60RD datasheet

..1. Size:325K silan
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SVF4N60RD(M) 4A 600V N SVF4N60RD(M) N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

7.1. Size:801K 1
svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

7.2. Size:800K silan
svf4n60d svf4n60f svf4n60t svf4n60m.pdf pdf_icon