SVF4N60RD - описание и поиск аналогов

 

SVF4N60RD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF4N60RD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26.36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SVF4N60RD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N60RD даташит

 ..1. Size:325K  silan
 svf4n60rd svf4n60rdm.pdf pdf_icon

SVF4N60RD

SVF4N60RD(M) 4A 600V N SVF4N60RD(M) N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 7.1. Size:801K  1
 svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N60RD

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

 7.2. Size:800K  silan
 svf4n60d svf4n60f svf4n60t svf4n60m.pdf pdf_icon

SVF4N60RD

 7.3. Size:479K  silan
 svf4n60f svf4n60t svf4n60dtr svf4n60m.pdf pdf_icon

SVF4N60RD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF3N80T , SVF3N80F , SVF3N80D , SVF4N60D , SVF4N60T , SVF4N60M , SVF4N60F , SVF4N60RDM , AO3400A , SVF4N65CAF , SVF4N65CAD , SVF4N65CAM , SVF4N65CAMJ , SVF4N65CAMN , SVF4N65CAK , SVF4N65D , SVF4N65RD .

History: TSM4435BCS | FQU2N90

 

 

 

 

↑ Back to Top
.