SVF4N65RD Todos los transistores

 

SVF4N65RD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF4N65RD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVF4N65RD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:672K  silan
 svf4n65rd svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf pdf_icon

SVF4N65RD

SVF4N65RD/M/MJ/F/T 4A650V N 2SVF4N65RD/M/MJ/F/T N MOS F-CellTM VDMOS 113TO-252-2L3

 0.1. Size:433K  silan
 svf4n65rdtr svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf pdf_icon

SVF4N65RD

SVF4N65RD/M/MJ/F/T 4A650V N 2SVF4N65RD/M/MJ/F/T N MOS F-CellTM VDMOS 113TO-252-2L3

 7.1. Size:449K  silan
 svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf pdf_icon

SVF4N65RD

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.

 7.2. Size:697K  silan
 svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf pdf_icon

SVF4N65RD

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK242 | FRS240H | NCE0117K | RUH1H139R-A | FQD10N20CTF | WM02N45M | KI2312DS

 

 
Back to Top

 


 
.