SVF4N65RD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF4N65RD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
Encapsulados: TO252
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SVF4N65RD datasheet
svf4n65rd svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf
SVF4N65RD/M/MJ/F/T 4A 650V N 2 SVF4N65RD/M/MJ/F/T N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 TO-252-2L 3
Otros transistores... SVF4N60RD, SVF4N65CAF, SVF4N65CAD, SVF4N65CAM, SVF4N65CAMJ, SVF4N65CAMN, SVF4N65CAK, SVF4N65D, IRLB3034, SVF4N65RM, SVF4N65RMJ, SVF4N65RF, SVF4N65RT, SVF5N60K, SVF5N65D, SVF5N65F, SVF6N60MJ
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