Справочник MOSFET. SVF4N65RD

 

SVF4N65RD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF4N65RD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVF4N65RD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N65RD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:672K  silan
 svf4n65rd svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf pdf_icon

SVF4N65RD

SVF4N65RD/M/MJ/F/T 4A650V N 2SVF4N65RD/M/MJ/F/T N MOS F-CellTM VDMOS 113TO-252-2L3

 0.1. Size:433K  silan
 svf4n65rdtr svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf pdf_icon

SVF4N65RD

SVF4N65RD/M/MJ/F/T 4A650V N 2SVF4N65RD/M/MJ/F/T N MOS F-CellTM VDMOS 113TO-252-2L3

 7.1. Size:449K  silan
 svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf pdf_icon

SVF4N65RD

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.

 7.2. Size:697K  silan
 svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf pdf_icon

SVF4N65RD

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF4N60RD , SVF4N65CAF , SVF4N65CAD , SVF4N65CAM , SVF4N65CAMJ , SVF4N65CAMN , SVF4N65CAK , SVF4N65D , 60N06 , SVF4N65RM , SVF4N65RMJ , SVF4N65RF , SVF4N65RT , SVF5N60K , SVF5N65D , SVF5N65F , SVF6N60MJ .

History: HM4N65F | BUK7222-55A | GSM2323 | SVG069R5NDTR | IRF1607 | AP18N50W | IRFD010

 

 
Back to Top

 


 
.