SVF5N60K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVF5N60K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 13.43 nC
   Tiempo de subida (tr): 30.6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 58 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF5N60K

SVF5N60K Datasheet (PDF)

..1. Size:563K silan
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SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS F-CellTM VDMOS 1133TO-252-2L 1.

..2. Size:458K silan
svf5n60f svf5n60dtr svf5n60k.pdf

SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS 1 1 F-CellTM VDMOS 3TO-252-2L3 1.

7.1. Size:528K 1
svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

7.2. Size:479K silan
svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf