SVF5N60K MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF5N60K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF5N60K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.15 Ohm

Encapsulados: TO262

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SVF5N60K datasheet

..1. Size:563K silan
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..2. Size:458K silan
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7.1. Size:528K 1
svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

7.2. Size:479K silan
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