SVF5N60K - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

SVF5N60K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF5N60K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.15 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SVF5N60K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVF5N60K даташит

..1. Size:563K silan
svf5n60f svf5n60d svf5n60k.pdf pdf_icon

..2. Size:458K silan
svf5n60f svf5n60dtr svf5n60k.pdf pdf_icon

7.1. Size:528K 1
svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

7.2. Size:479K silan
svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon