SVF5N60K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF5N60K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 30.6 ns
Выходная емкость (Cd): 58 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.15 Ohm
Тип корпуса: TO262
SVF5N60K Datasheet (PDF)
svf5n60f svf5n60d svf5n60k.pdf
SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS F-CellTM VDMOS 1133TO-252-2L 1.
svf5n60f svf5n60dtr svf5n60k.pdf
SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS 1 1 F-CellTM VDMOS 3TO-252-2L3 1.
svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf
SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior
svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf
SVF5N60T/F/D/MJ 5A600V N 2SVF5N60T/F/D/MJ NMOSF-CellTMVDMOS 1 TO-252-2L3
svf5n65d svf5n65f.pdf
SVF5N65D/F 5A650V N 2SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.
svf5n65dtr svf5n65f.pdf
SVF5N65D/F 5A650V N 2SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
