SVF740MJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVF740MJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16.18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251J

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF740MJ

SVF740MJ Datasheet (PDF)

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SVF740T/MJ 10A400V N 2SVF740T/MJ N MOS 1213 F-CellTM VDMOS 3TO-251J-3L 1. 2. 3.

8.1. Size:227K 1
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SVF740T/F_Datasheet 10A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF740T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-cellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

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