SVF740MJ Todos los transistores

 

SVF740MJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF740MJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251J
 

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SVF740MJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  silan
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SVF740MJ

SVF740T/MJ 10A400V N 2SVF740T/MJ N MOS 1213 F-CellTM VDMOS 3TO-251J-3L 1. 2. 3.

 8.1. Size:227K  1
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SVF740MJ

SVF740T/F_Datasheet 10A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF740T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-cellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.2. Size:343K  silan
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SVF740MJ

SVF740CT 10A400V N 2SVF740CT N MOS F-cellTM VDMOS 1 3

Otros transistores... SVF4N65RT , SVF5N60K , SVF5N65D , SVF5N65F , SVF6N60MJ , SVF6N60F , SVF6N60D , SVF6N70F , IRFP064N , SVF7N60CF , SVF7N60CS , SVF7N60CK , SVF7N60CMJ , SVF7N60CD , SVF7N60CT , SVF7N60F , SVF7N60S .

History: CEB07N65A | IXFH12N50F

 

 
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