SVF740MJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF740MJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO251J

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SVF740MJ datasheet

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SVF740MJ

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SVF740MJ

SVF740T/F_Datasheet 10A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF740T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-cellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

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SVF740MJ

SVF740CT 10A 400V N 2 SVF740CT N MOS F-cellTM VDMOS 1 3

Otros transistores... SVF4N65RT, SVF5N60K, SVF5N65D, SVF5N65F, SVF6N60MJ, SVF6N60F, SVF6N60D, SVF6N70F, AO4468, SVF7N60CF, SVF7N60CS, SVF7N60CK, SVF7N60CMJ, SVF7N60CD, SVF7N60CT, SVF7N60F, SVF7N60S