SVF740MJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF740MJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 118.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO251J

Аналог (замена) для SVF740MJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF740MJ даташит

 ..1. Size:468K  silan
 svf740t svf740mj.pdf pdf_icon

SVF740MJ

 8.1. Size:227K  1
 svf740t svf740f.pdf pdf_icon

SVF740MJ

SVF740T/F_Datasheet 10A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF740T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-cellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.2. Size:343K  silan
 svf740ct.pdf pdf_icon

SVF740MJ

SVF740CT 10A 400V N 2 SVF740CT N MOS F-cellTM VDMOS 1 3

Другие IGBT... SVF4N65RT, SVF5N60K, SVF5N65D, SVF5N65F, SVF6N60MJ, SVF6N60F, SVF6N60D, SVF6N70F, AO4468, SVF7N60CF, SVF7N60CS, SVF7N60CK, SVF7N60CMJ, SVF7N60CD, SVF7N60CT, SVF7N60F, SVF7N60S