Справочник MOSFET. SVF740MJ

 

SVF740MJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF740MJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO251J
 

 Аналог (замена) для SVF740MJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF740MJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  silan
 svf740t svf740mj.pdf pdf_icon

SVF740MJ

SVF740T/MJ 10A400V N 2SVF740T/MJ N MOS 1213 F-CellTM VDMOS 3TO-251J-3L 1. 2. 3.

 8.1. Size:227K  1
 svf740t svf740f.pdf pdf_icon

SVF740MJ

SVF740T/F_Datasheet 10A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF740T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-cellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.2. Size:343K  silan
 svf740ct.pdf pdf_icon

SVF740MJ

SVF740CT 10A400V N 2SVF740CT N MOS F-cellTM VDMOS 1 3

Другие MOSFET... SVF4N65RT , SVF5N60K , SVF5N65D , SVF5N65F , SVF6N60MJ , SVF6N60F , SVF6N60D , SVF6N70F , IRFP064N , SVF7N60CF , SVF7N60CS , SVF7N60CK , SVF7N60CMJ , SVF7N60CD , SVF7N60CT , SVF7N60F , SVF7N60S .

History: JCS2N70CH | IXTA28P065T | BUK662R7-55C | APM4500 | UF640G-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.