SVF7N65CMJ Todos los transistores

 

SVF7N65CMJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF7N65CMJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251J

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF7N65CMJ

 

SVF7N65CMJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:626K  silan
svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65cs svf7n65cfq.pdf

SVF7N65CMJ
SVF7N65CMJ

SVF7N65CF/D/MJ/K/S/FQ 7A650V N SVF7N65CF/D/MJ/K/S/FQ N MOS F-CellTM VDMOS

 ..2. Size:641K  silan
svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65ct.pdf

SVF7N65CMJ
SVF7N65CMJ

SVF7N65CF/D/MJ/K/T 7A650V N 2SVF7N65CF/D/MJ/K/T N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 TO-262-3L3

 ..3. Size:527K  silan
svf7n65cf svf7n65cdtr svf7n65cmj svf7n65cmjl svf7n65ck svf7n65ct.pdf

SVF7N65CMJ
SVF7N65CMJ

SVF7N65CF/D/MJ/MJL/K/T 7A650V N 2 1SVF7N65CF/D/MJ/MJL/K/T N MOS 231 F-CellTM VDMOS TO-262-3L3 12

 6.1. Size:321K  silan
svf7n65cfjh.pdf

SVF7N65CMJ
SVF7N65CMJ

SVF7N65CFJH 7A650V N 2SVF7N65CFJH N MOS F-CellTM VDMOS 13

 7.1. Size:407K  silan
svf7n65f svf7n65s svf7n65str svf7n65t.pdf

SVF7N65CMJ
SVF7N65CMJ

SVF7N65T/F/S 7A650V N 2 SVF7N65T/F/S N MOS 1 F-CellTM VDMOS 31. 2. 3.

 7.2. Size:575K  silan
svf7n65t svf7n65f svf7n65s.pdf

SVF7N65CMJ
SVF7N65CMJ

SVF7N65T/F/S 7A650V N SVF7N65T/F/S N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 7.3. Size:623K  silan
svf7n65f-t.pdf

SVF7N65CMJ
SVF7N65CMJ

SVF7N65T/F_Datasheet 7A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF7N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


SVF7N65CMJ
  SVF7N65CMJ
  SVF7N65CMJ
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top