SVF7N65CMJ Todos los transistores

 

SVF7N65CMJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF7N65CMJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251J
 

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SVF7N65CMJ Datasheet (PDF)

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SVF7N65CMJ

SVF7N65CF/D/MJ/K/S/FQ 7A650V N SVF7N65CF/D/MJ/K/S/FQ N MOS F-CellTM VDMOS

 ..2. Size:641K  silan
 svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65ct.pdf pdf_icon

SVF7N65CMJ

SVF7N65CF/D/MJ/K/T 7A650V N 2SVF7N65CF/D/MJ/K/T N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 TO-262-3L3

 ..3. Size:527K  silan
 svf7n65cf svf7n65cdtr svf7n65cmj svf7n65cmjl svf7n65ck svf7n65ct.pdf pdf_icon

SVF7N65CMJ

SVF7N65CF/D/MJ/MJL/K/T 7A650V N 2 1SVF7N65CF/D/MJ/MJL/K/T N MOS 231 F-CellTM VDMOS TO-262-3L3 12

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SVF7N65CMJ

SVF7N65CFJH 7A650V N 2SVF7N65CFJH N MOS F-CellTM VDMOS 13

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History: 2SK2117 | IRF7478TR | AONS30306

 

 
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