SVF7N65CMJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF7N65CMJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO251J

Аналог (замена) для SVF7N65CMJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF7N65CMJ даташит

 ..1. Size:626K  silan
 svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65cs svf7n65cfq.pdf pdf_icon

SVF7N65CMJ

 ..2. Size:641K  silan
 svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65ct.pdf pdf_icon

SVF7N65CMJ

SVF7N65CF/D/MJ/K/T 7A 650V N 2 SVF7N65CF/D/MJ/K/T N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 TO-262-3L 3

 ..3. Size:527K  silan
 svf7n65cf svf7n65cdtr svf7n65cmj svf7n65cmjl svf7n65ck svf7n65ct.pdf pdf_icon

SVF7N65CMJ

 6.1. Size:321K  silan
 svf7n65cfjh.pdf pdf_icon

SVF7N65CMJ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF7N60CMJ, SVF7N60CD, SVF7N60CT, SVF7N60F, SVF7N60S, SVF7N60D, SVF7N65CF, SVF7N65CD, IRF640, SVF7N65CK, SVF7N65CS, SVF7N65CFQ, SVF7N65CT, SVF7N65S, SVF7N80T, SVF7N80F, SVF840F