SVF8N65T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF8N65T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 51.47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: TO220
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SVF8N65T datasheet
svf8n65t svf8n65f.pdf
SVF8N65T/F 8A 650V N SVF8N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS AC-D
svf8n65rmj svf8n65rdtr.pdf
SVF8N65RD(MJ) 8A 650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1
svf8n60t svf8n60f.pdf
SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching
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History: FQA9N90F109
History: FQA9N90F109
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