Справочник MOSFET. SVF8N65T

 

SVF8N65T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF8N65T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51.47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVF8N65T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF8N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  silan
 svf8n65t svf8n65f.pdf pdf_icon

SVF8N65T

SVF8N65T/F 8A650V N SVF8N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS AC-D

 7.1. Size:384K  silan
 svf8n65rmj svf8n65rdtr.pdf pdf_icon

SVF8N65T

SVF8N65RD(MJ) 8A650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1

 8.1. Size:433K  silan
 svf8n60t svf8n60f.pdf pdf_icon

SVF8N65T

SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.2. Size:336K  silan
 svf8n60f.pdf pdf_icon

SVF8N65T

SVF8N60F 8A600V N 2SVF8N60F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF7N80T , SVF7N80F , SVF840F , SVF840D , SVF840S , SVF840MJ , SVF8N60T , SVF8N60F , 2SK3878 , SVF8N65F , SVS11N65FJD2 , SVS20N60FJD2 , SVS20N60KD2 , SVS20N60TD2 , SVS20N60PND2 , SVS20N60SD2 , SVS20N60SD2TR .

History: PSMN3R7-25YLC | 11NM70G-TF1-T | 2SJ246L

 

 
Back to Top

 


 
.