SVF8N65F Todos los transistores

 

SVF8N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF8N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51.47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVF8N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  silan
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SVF8N65F

SVF8N65T/F 8A650V N SVF8N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS AC-D

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SVF8N65F

SVF8N65RD(MJ) 8A650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1

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SVF8N65F

SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.2. Size:336K  silan
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SVF8N65F

SVF8N60F 8A600V N 2SVF8N60F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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History: BUZ310 | FRS240H | CS730A4RD | RUH1H139R-A | FQD10N20CTF | 20N03L-TO252 | KI2312DS

 

 
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