SVF8N65F - аналоги и даташиты транзистора

 

SVF8N65F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVF8N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51.47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVF8N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF8N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  silan
 svf8n65t svf8n65f.pdf pdf_icon

SVF8N65F

SVF8N65T/F 8A650V N SVF8N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS AC-D

 7.1. Size:384K  silan
 svf8n65rmj svf8n65rdtr.pdf pdf_icon

SVF8N65F

SVF8N65RD(MJ) 8A650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1

 8.1. Size:433K  silan
 svf8n60t svf8n60f.pdf pdf_icon

SVF8N65F

SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.2. Size:336K  silan
 svf8n60f.pdf pdf_icon

SVF8N65F

SVF8N60F 8A600V N 2SVF8N60F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF7N80F , SVF840F , SVF840D , SVF840S , SVF840MJ , SVF8N60T , SVF8N60F , SVF8N65T , STP75NF75 , SVS11N65FJD2 , SVS20N60FJD2 , SVS20N60KD2 , SVS20N60TD2 , SVS20N60PND2 , SVS20N60SD2 , SVS20N60SD2TR , SVS20N60P7D2 .

History: AOK42S60 | DMP1022UFDF | BRCS20N06DP | AOI7N65 | 2SK3804-01S | JCS2N60CB | SPB16N50C3

 

 
Back to Top

 


 
.