IXFP34N65X2M Todos los transistores

 

IXFP34N65X2M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFP34N65X2M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 56 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXFP34N65X2M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  ixys
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IXFP34N65X2M

Preliminary Technical InformationX2-Class HiperFETTM VDSS = 650VIXFP34N65X2MPower MOSFET ID25 = 34A RDS(on) 100m (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement Mode OVERMOLDEDTO-220Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VGIsolated TabDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSVGSS Contin

 3.1. Size:282K  ixys
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IXFP34N65X2M

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFP34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFH34N65X2 RDS(on) 100m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220(IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C 650 VSD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-247VGSS Continuous 30 V(IXFH)VGSM Transien

 3.2. Size:205K  ixys
 ixfa34n65x2 ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdf pdf_icon

IXFP34N65X2M

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFP34N65X2 RDS(on) 100m IXFH34N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGS

 3.3. Size:205K  inchange semiconductor
 ixfp34n65x2.pdf pdf_icon

IXFP34N65X2M

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFP34N65X2FEATURESWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSSV Ga

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History: IRF460B | AP16N50W

 

 
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