Справочник MOSFET. IXFP34N65X2M

 

IXFP34N65X2M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFP34N65X2M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IXFP34N65X2M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP34N65X2M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  ixys
ixfp34n65x2m.pdfpdf_icon

IXFP34N65X2M

Preliminary Technical InformationX2-Class HiperFETTM VDSS = 650VIXFP34N65X2MPower MOSFET ID25 = 34A RDS(on) 100m (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement Mode OVERMOLDEDTO-220Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VGIsolated TabDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSVGSS Contin

 3.1. Size:282K  ixys
ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdfpdf_icon

IXFP34N65X2M

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFP34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFH34N65X2 RDS(on) 100m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220(IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C 650 VSD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-247VGSS Continuous 30 V(IXFH)VGSM Transien

 3.2. Size:205K  ixys
ixfa34n65x2 ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdfpdf_icon

IXFP34N65X2M

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFP34N65X2 RDS(on) 100m IXFH34N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGS

 3.3. Size:205K  inchange semiconductor
ixfp34n65x2.pdfpdf_icon

IXFP34N65X2M

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFP34N65X2FEATURESWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSSV Ga

Другие MOSFET... IXFA60N25X3 , IXFA80N25X3 , IXFH18N65X2 , IXFH40N85X , IXFH50N85X , IXFH90N20X3 , IXFK50N85X , IXFK80N65X2 , AON7506 , IXFP60N25X3 , IXFP80N25X3 , IXFP90N20X3 , IXFQ60N25X3 , IXFQ80N25X3 , IXFQ90N20X3 , IXFT40N85XHV , IXFT50N85XHV .

History: APM9968C | BLP02N06-Q | INK0003AM1 | AP9435GG | BLS6G2731-6G | 2SK3274L | SIHFP048R

 

 
Back to Top

 


 
.