Справочник MOSFET. IXFP34N65X2M

 

IXFP34N65X2M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFP34N65X2M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 34 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 56 nC
   Время нарастания (tr): 60 ns
   Выходная емкость (Cd): 2000 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXFP34N65X2M

 

 

IXFP34N65X2M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  ixys
ixfp34n65x2m.pdf

IXFP34N65X2M
IXFP34N65X2M

Preliminary Technical InformationX2-Class HiperFETTM VDSS = 650VIXFP34N65X2MPower MOSFET ID25 = 34A RDS(on) 100m (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement Mode OVERMOLDEDTO-220Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VGIsolated TabDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSVGSS Contin

 3.1. Size:282K  ixys
ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdf

IXFP34N65X2M
IXFP34N65X2M

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFP34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFH34N65X2 RDS(on) 100m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220(IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C 650 VSD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-247VGSS Continuous 30 V(IXFH)VGSM Transien

 3.2. Size:205K  ixys
ixfa34n65x2 ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdf

IXFP34N65X2M
IXFP34N65X2M

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFP34N65X2 RDS(on) 100m IXFH34N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGS

 3.3. Size:205K  inchange semiconductor
ixfp34n65x2.pdf

IXFP34N65X2M
IXFP34N65X2M

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFP34N65X2FEATURESWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSSV Ga

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top