IXFQ90N20X3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFQ90N20X3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 390 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 78 nC
Tiempo de subida (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 930 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0128 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFQ90N20X3
IXFQ90N20X3 Datasheet (PDF)
ixfp90n20x3 ixfq90n20x3 ixfh90n20x3.pdf
X3-Class HiPerFETTM VDSS = 200VIXFP90N20X3Power MOSFET ID25 = 90AIXFQ90N20X3 RDS(on) 12.8m IXFH90N20X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220AB (IXFP)GDD (Tab)STO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VDSVGSS Continuous
ixfh94n30p3 ixfq94n30p3 ixft94n30p3.pdf
Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 300VIXFT94N30P3ID25 = 94APower MOSFETsIXFQ94N30P3 RDS(on) 36m IXFH94N30P3N-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXFT)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGVDGR TJ = 25C to 150C
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
