IXFQ90N20X3 - описание и поиск аналогов

 

IXFQ90N20X3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFQ90N20X3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0128 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IXFQ90N20X3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFQ90N20X3 даташит

 ..1. Size:191K  ixys
 ixfp90n20x3 ixfq90n20x3 ixfh90n20x3.pdf pdf_icon

IXFQ90N20X3

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 200V IXFP90N20X3 Power MOSFET ID25 = 90A IXFQ90N20X3 RDS(on) 12.8m IXFH90N20X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-220AB (IXFP) G D D (Tab) S TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 200 V D S VGSS Continuous

 9.1. Size:145K  ixys
 ixfh94n30p3 ixfq94n30p3 ixft94n30p3.pdf pdf_icon

IXFQ90N20X3

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 300V IXFT94N30P3 ID25 = 94A Power MOSFETs IXFQ94N30P3 RDS(on) 36m IXFH94N30P3 N-Channel Enhancement Mode TO-268 (IXFT) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C

Другие MOSFET... IXFK50N85X , IXFK80N65X2 , IXFP34N65X2M , IXFP60N25X3 , IXFP80N25X3 , IXFP90N20X3 , IXFQ60N25X3 , IXFQ80N25X3 , STP80NF70 , IXFT40N85XHV , IXFT50N85XHV , IXFH80N25X3 , IXTH240N15X4 , IXTP34N65X2 , IXTT240N15X4HV , AIMW120R045M1 , AUIRLS8409-7P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.