Справочник MOSFET. IXFQ90N20X3

 

IXFQ90N20X3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFQ90N20X3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0128 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для IXFQ90N20X3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFQ90N20X3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  ixys
 ixfp90n20x3 ixfq90n20x3 ixfh90n20x3.pdf pdf_icon

IXFQ90N20X3

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 200VIXFP90N20X3Power MOSFET ID25 = 90AIXFQ90N20X3 RDS(on) 12.8m IXFH90N20X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220AB (IXFP)GDD (Tab)STO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VDSVGSS Continuous

 9.1. Size:145K  ixys
 ixfh94n30p3 ixfq94n30p3 ixft94n30p3.pdf pdf_icon

IXFQ90N20X3

Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 300VIXFT94N30P3ID25 = 94APower MOSFETsIXFQ94N30P3 RDS(on) 36m IXFH94N30P3N-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXFT)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGVDGR TJ = 25C to 150C

Другие MOSFET... IXFK50N85X , IXFK80N65X2 , IXFP34N65X2M , IXFP60N25X3 , IXFP80N25X3 , IXFP90N20X3 , IXFQ60N25X3 , IXFQ80N25X3 , 20N50 , IXFT40N85XHV , IXFT50N85XHV , IXFH80N25X3 , IXTH240N15X4 , IXTP34N65X2 , IXTT240N15X4HV , AIMW120R045M1 , AUIRLS8409-7P .

History: 2SK2682LS | 2SK3337W

 

 
Back to Top

 


 
.