BSC010N04LS6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC010N04LS6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
   Paquete / Cubierta: SUPERSO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC010N04LS6

BSC010N04LS6 Datasheet (PDF)

..1. Size:1476K infineon
bsc010n04ls6.pdf

BSC010N04LS6MOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V876Features5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on)1 52 6 100% avalanche tested734 8 Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2

3.1. Size:573K infineon
bsc010n04ls.pdf

BSC010N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for sychronous rectificationRDS(on),max 1.0 mW Very low on-resistance RDS(on)ID 100 A 100% avalanche testedQoss 84 nC Superior thermal resistanceQg(0V..10V) 95 nC N-channel, logic levelPG-TDSON-8 FL Qualified according to JEDEC1) for target applications (enlarg

3.2. Size:1279K infineon
bsc010n04lst.pdf

BSC010N04LSTMOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V876Features5 Optimized for sychronous rectification 175 C rated1 52 6 Very low on-resistance RDS(on) 734 8 100% avalanche tested Superior thermal resistance4 N-channel, logic level3 Qualified according to JEDEC1) for target applications 2

3.3. Size:598K infineon
bsc010n04lsi.pdf

BSC010N04LSIOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for synchronous rectificationRDS(on),max 1.05 mW Integrated monolithic Schottky-like diodeA ID 100 Very low on-resistance RDS(on)QOSS 83 nC 100% avalanche tested87 nC QG(0V..10V) N-channel, channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSO

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: