BSC010N04LS6 - описание и поиск аналогов

 

BSC010N04LS6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC010N04LS6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm

Тип корпуса: SUPERSO8

Аналог (замена) для BSC010N04LS6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC010N04LS6 даташит

 ..1. Size:1476K  infineon
bsc010n04ls6.pdfpdf_icon

BSC010N04LS6

BSC010N04LS6 MOSFET TDSON-8 FL (enlarged source interconnection) OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V 8 7 6 Features 5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance R DS(on) 1 5 2 6 100% avalanche tested 7 3 4 8 Superior thermal resistance N-channel 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2

 3.1. Size:573K  infineon
bsc010n04ls.pdfpdf_icon

BSC010N04LS6

BSC010N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for sychronous rectification RDS(on),max 1.0 mW Very low on-resistance R DS(on) ID 100 A 100% avalanche tested Qoss 84 nC Superior thermal resistance Qg(0V..10V) 95 nC N-channel, logic level PG-TDSON-8 FL Qualified according to JEDEC1) for target applications (enlarg

 3.2. Size:1279K  infineon
bsc010n04lst.pdfpdf_icon

BSC010N04LS6

BSC010N04LST MOSFET TDSON-8 FL (enlarged source interconnection) OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V 8 7 6 Features 5 Optimized for sychronous rectification 175 C rated 1 5 2 6 Very low on-resistance R DS(on) 7 3 4 8 100% avalanche tested Superior thermal resistance 4 N-channel, logic level 3 Qualified according to JEDEC1) for target applications 2

 3.3. Size:598K  infineon
bsc010n04lsi.pdfpdf_icon

BSC010N04LS6

BSC010N04LSI OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for synchronous rectification RDS(on),max 1.05 mW Integrated monolithic Schottky-like diode A ID 100 Very low on-resistance R DS(on) QOSS 83 nC 100% avalanche tested 87 nC QG(0V..10V) N-channel, channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSO

Другие MOSFET... IXTP34N65X2 , IXTT240N15X4HV , AIMW120R045M1 , AUIRLS8409-7P , BF2040 , BF2040R , BF2040W , BSC007N04LS6 , AO3407 , BSC010N04LST , BSC011N03LST , BSC014N06NSSC , BSC015NE2LS5I , BSC016N06NST , BSC021N08NS5 , BSC022N04LS6 , BSC027N06LS5 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.