Справочник MOSFET. BSC010N04LS6

 

BSC010N04LS6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC010N04LS6
   Маркировка: 10N04LS6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 67 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSO8

 Аналог (замена) для BSC010N04LS6

 

 

BSC010N04LS6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1476K  infineon
 bsc010n04ls6.pdf

BSC010N04LS6 BSC010N04LS6

BSC010N04LS6MOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V876Features5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on)1 52 6 100% avalanche tested734 8 Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2

 3.1. Size:573K  infineon
 bsc010n04ls.pdf

BSC010N04LS6 BSC010N04LS6

BSC010N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for sychronous rectificationRDS(on),max 1.0 mW Very low on-resistance RDS(on)ID 100 A 100% avalanche testedQoss 84 nC Superior thermal resistanceQg(0V..10V) 95 nC N-channel, logic levelPG-TDSON-8 FL Qualified according to JEDEC1) for target applications (enlarg

 3.2. Size:1279K  infineon
 bsc010n04lst.pdf

BSC010N04LS6 BSC010N04LS6

BSC010N04LSTMOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V876Features5 Optimized for sychronous rectification 175 C rated1 52 6 Very low on-resistance RDS(on) 734 8 100% avalanche tested Superior thermal resistance4 N-channel, logic level3 Qualified according to JEDEC1) for target applications 2

 3.3. Size:598K  infineon
 bsc010n04lsi.pdf

BSC010N04LS6 BSC010N04LS6

BSC010N04LSIOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for synchronous rectificationRDS(on),max 1.05 mW Integrated monolithic Schottky-like diodeA ID 100 Very low on-resistance RDS(on)QOSS 83 nC 100% avalanche tested87 nC QG(0V..10V) N-channel, channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSO

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top