BSC034N10LS5 Todos los transistores

 

BSC034N10LS5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC034N10LS5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm

Encapsulados: SUPERSO8

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BSC034N10LS5 datasheet

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BSC034N10LS5

BSC034N10LS5 MOSFET SuperSO8 OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 1 3 2 2 Halogen-free according to IEC61249-2-21 3 1 4 Product validation Fully qualified acco

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BSC034N10LS5

BSC034N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 3.4 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 100 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Sup

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BSC034N10LS5

Type BSC034N06NS OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. VDS 60 V 100% avalanche tested RDS(on),max 3.4 mW Superior thermal resistance ID 100 A N-channel QOSS nC 37 Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) 33 nC Pb-free lead plating; RoHS compliant Hal

 7.3. Size:670K  infineon
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BSC034N10LS5

BSC034N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 3.4 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 100 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Sup

Otros transistores... BSC010N04LST , BSC011N03LST , BSC014N06NSSC , BSC015NE2LS5I , BSC016N06NST , BSC021N08NS5 , BSC022N04LS6 , BSC027N06LS5 , P60NF06 , BSC0402NS , BSC040N10NS5SC , BSC0501NSI , BSC0502NSI , BSC0503NSI , BSC0504NSI , BSC050N10NS5 , BSC059N04LS6 .

History: BS108G | BSC0501NSI

 

 

 

 

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