Справочник MOSFET. BSC034N10LS5

 

BSC034N10LS5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC034N10LS5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSO8
 

 Аналог (замена) для BSC034N10LS5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC034N10LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1071K  infineon
bsc034n10ls5.pdfpdf_icon

BSC034N10LS5

BSC034N10LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Halogen-free according to IEC61249-2-213 14Product validationFully qualified acco

 7.1. Size:631K  infineon
bsc034n03ls.pdfpdf_icon

BSC034N10LS5

BSC034N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 3.4 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 100 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Sup

 7.2. Size:489K  infineon
bsc034n06ns.pdfpdf_icon

BSC034N10LS5

TypeBSC034N06NSOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 3.4 mW Superior thermal resistanceID 100 A N-channelQOSS nC 37 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) 33 nC Pb-free lead plating; RoHS compliant Hal

 7.3. Size:670K  infineon
bsc034n03lsg.pdfpdf_icon

BSC034N10LS5

BSC034N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 3.4 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 100 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Sup

Другие MOSFET... BSC010N04LST , BSC011N03LST , BSC014N06NSSC , BSC015NE2LS5I , BSC016N06NST , BSC021N08NS5 , BSC022N04LS6 , BSC027N06LS5 , AO3401 , BSC0402NS , BSC040N10NS5SC , BSC0501NSI , BSC0502NSI , BSC0503NSI , BSC0504NSI , BSC050N10NS5 , BSC059N04LS6 .

History: UTT200N02 | 2SK4067I | SFB063N70C3 | PNM8P30V12 | ZXMP6A17GTA | APM4828KC-TRL | TPC8086

 

 
Back to Top

 


 
.