BSC034N10LS5. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSC034N10LS5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
Тип корпуса: SUPERSO8
Аналог (замена) для BSC034N10LS5
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSC034N10LS5 даташит
bsc034n10ls5.pdf
BSC034N10LS5 MOSFET SuperSO8 OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 1 3 2 2 Halogen-free according to IEC61249-2-21 3 1 4 Product validation Fully qualified acco
bsc034n03ls.pdf
BSC034N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 3.4 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 100 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Sup
bsc034n06ns.pdf
Type BSC034N06NS OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. VDS 60 V 100% avalanche tested RDS(on),max 3.4 mW Superior thermal resistance ID 100 A N-channel QOSS nC 37 Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) 33 nC Pb-free lead plating; RoHS compliant Hal
bsc034n03lsg.pdf
BSC034N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 3.4 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 100 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Sup
Другие MOSFET... BSC010N04LST , BSC011N03LST , BSC014N06NSSC , BSC015NE2LS5I , BSC016N06NST , BSC021N08NS5 , BSC022N04LS6 , BSC027N06LS5 , P60NF06 , BSC0402NS , BSC040N10NS5SC , BSC0501NSI , BSC0502NSI , BSC0503NSI , BSC0504NSI , BSC050N10NS5 , BSC059N04LS6 .
History: BSC0501NSI
History: BSC0501NSI
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent





