BSC059N04LS6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC059N04LS6
Código: 59N04LS6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
Carga de la puerta (Qg): 9.4 nC
Tiempo de subida (tr): 1.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 210 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0059 Ohm
Paquete / Cubierta: SUPERSO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 Datasheet (PDF)
bsc059n04ls6.pdf
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bsc059n04lsg.pdf
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bsc059n03s.pdf
BSC059N03SOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 5.5m DS(on),max Optimized technology for notebook DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1 for target applications N-channel Logic levelP-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
