BSC059N04LS6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSC059N04LS6
Маркировка: 59N04LS6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.4 nC
Время нарастания (tr): 1.2 ns
Выходная емкость (Cd): 210 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0059 Ohm
Тип корпуса: SUPERSO8
Аналог (замена) для BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 Datasheet (PDF)
bsc059n04ls6.pdf
BSC059N04LS6MOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V876Features5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on)1 52 6 100% avalanche tested734 8 Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2
bsc059n04lsg.pdf
BSC059N04LS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 40 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5.9 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 73 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) S
bsc059n03s.pdf
BSC059N03SOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 5.5m DS(on),max Optimized technology for notebook DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1 for target applications N-channel Logic levelP-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
