BSC070N10LS5 Todos los transistores

 

BSC070N10LS5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC070N10LS5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: SUPERSO8

 Búsqueda de reemplazo de BSC070N10LS5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BSC070N10LS5 datasheet

 ..1. Size:1075K  infineon
bsc070n10ls5.pdf pdf_icon

BSC070N10LS5

BSC070N10LS5 MOSFET SuperSO8 OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 1 3 2 2 Halogen-free according to IEC61249-2-21 3 1 4 Product validation Fully qualified accor

 5.1. Size:1175K  infineon
bsc070n10ns5.pdf pdf_icon

BSC070N10LS5

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V BSC070N10NS5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V BSC070N10NS5 SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal

 5.2. Size:655K  infineon
bsc070n10ns3rev21.pdf pdf_icon

BSC070N10LS5

% ! !% TM # A0 D Q ' 381>>5?B=1

 5.3. Size:434K  infineon
bsc070n10ns3g.pdf pdf_icon

BSC070N10LS5

BSC070N10NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V Very low gate charge for high frequency applications RDS(on),max 7 mW Optimized for dc-dc conversion ID 90 A N-channel, normal level PG-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 150 C operating temperature Pb-free lead plating;

Otros transistores... BSC0501NSI , BSC0502NSI , BSC0503NSI , BSC0504NSI , BSC050N10NS5 , BSC059N04LS6 , BSC065N06LS5 , BSC0702LS , IRF9640 , BSC070N10NS5SC , BSC072N04LD , BSC074N15NS5 , BSC076N04ND , BSC0804LS , BSC0805LS , BSC093N15NS5 , BSC094N06LS5 .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10

 

 

 

Popular searches

kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567

 

 

↑ Back to Top
.