BSC070N10LS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC070N10LS5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: SUPERSO8
Búsqueda de reemplazo de BSC070N10LS5 MOSFET
BSC070N10LS5 Datasheet (PDF)
bsc070n10ls5.pdf

BSC070N10LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Halogen-free according to IEC61249-2-213 14Product validationFully qualified accor
bsc070n10ns5.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSC070N10NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSC070N10NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal
bsc070n10ns3g.pdf

BSC070N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 100 V Very low gate charge for high frequency applicationsRDS(on),max 7mW Optimized for dc-dc conversionID 90 A N-channel, normal levelPG-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 150 C operating temperature Pb-free lead plating;
Otros transistores... BSC0501NSI , BSC0502NSI , BSC0503NSI , BSC0504NSI , BSC050N10NS5 , BSC059N04LS6 , BSC065N06LS5 , BSC0702LS , AON7403 , BSC070N10NS5SC , BSC072N04LD , BSC074N15NS5 , BSC076N04ND , BSC0804LS , BSC0805LS , BSC093N15NS5 , BSC094N06LS5 .
History: HUFA76407P3 | HUFA76409P3 | HM70N80A | ES6U41 | IPP60R380C6 | CEP6086 | NTMFS4C59N
History: HUFA76407P3 | HUFA76409P3 | HM70N80A | ES6U41 | IPP60R380C6 | CEP6086 | NTMFS4C59N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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