Справочник MOSFET. BSC070N10LS5

 

BSC070N10LS5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC070N10LS5
   Маркировка: 070N10L5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSO8

 Аналог (замена) для BSC070N10LS5

 

 

BSC070N10LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1075K  infineon
 bsc070n10ls5.pdf

BSC070N10LS5 BSC070N10LS5

BSC070N10LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Halogen-free according to IEC61249-2-213 14Product validationFully qualified accor

 5.1. Size:1175K  infineon
 bsc070n10ns5.pdf

BSC070N10LS5 BSC070N10LS5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSC070N10NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSC070N10NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal

 5.2. Size:655K  infineon
 bsc070n10ns3rev21.pdf

BSC070N10LS5 BSC070N10LS5

% ! !% TM #:A0DQ ' 381>>5?B=1

 5.3. Size:434K  infineon
 bsc070n10ns3g.pdf

BSC070N10LS5 BSC070N10LS5

BSC070N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 100 V Very low gate charge for high frequency applicationsRDS(on),max 7mW Optimized for dc-dc conversionID 90 A N-channel, normal levelPG-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 150 C operating temperature Pb-free lead plating;

 5.4. Size:985K  infineon
 bsc070n10ns5sc.pdf

BSC070N10LS5 BSC070N10LS5

BSC070N10NS5SCMOSFETPG-WSON-8-2OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VFeatures Double sided cooled package-with lowest Junction-top thermal resistancetab 175C rated Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.56 100% avalanche tested78 Superior thermal resistance43 N-channel21 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-fr

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top