BSC13DN30NSFD Todos los transistores

 

BSC13DN30NSFD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC13DN30NSFD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SUPERSO8

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BSC13DN30NSFD datasheet

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BSC13DN30NSFD

BSC13DN30NSFD MOSFET SuperSO8 OptiMOSTM3 Power-Transistor, 300 V 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 N-channel, normal level 175 C rated Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 1 3 2 2 Qualified according to JEDEC1) for target application 3 1 4 Halogen-free according to IEC

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BSC13DN30NSFD

BSC130P03LS G OptiMOS -P Power-Transistor Product Summary Features VDS -30 V P-Channel RDS(on),max 13 mW Enhancement mode ID -22.5 A Logic level 150 C operating temperature Avalanche rated; RoHS compliant PG-TDSON-8 Vgs=25V, specially suited for notebook applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free lead plating; RoHS compliant

Otros transistores... BSC093N15NS5 , BSC094N06LS5 , BSC096N10LS5 , BSC097N06NST , BSC0993ND , BSC0996NS , BSC110N15NS5 , BSC112N06LD , IRF740 , BSC146N10LS5 , BSC155N06ND , BSC160N15NS5 , BSC350N20NSFD , BSF450NE7NH3G , BSS340NW , BSZ009NE2LS5 , BSZ010NE2LS5 .

History: SWF10N60D | S2N7002K | NCE60R360F | SGM3055 | STW34NM60ND | RF4E110GN | HCFL65R380

 

 

 

 

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