BSC13DN30NSFD Todos los transistores

 

BSC13DN30NSFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC13DN30NSFD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SUPERSO8
 

 Búsqueda de reemplazo de BSC13DN30NSFD MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSC13DN30NSFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:921K  infineon
 bsc13dn30nsfd.pdf pdf_icon

BSC13DN30NSFD

BSC13DN30NSFDMOSFETSuperSO8OptiMOSTM3 Power-Transistor, 300 V5867Features 7685 N-channel, normal level 175 C rated Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Qualified according to JEDEC1) for target application3 14 Halogen-free according to IEC

 9.1. Size:595K  infineon
 bsc130p03lsg .pdf pdf_icon

BSC13DN30NSFD

BSC130P03LS GOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS -30 V P-ChannelRDS(on),max 13mW Enhancement modeID -22.5 A Logic level 150C operating temperature Avalanche rated; RoHS compliantPG-TDSON-8 Vgs=25V, specially suited for notebook applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free lead plating; RoHS compliant

Otros transistores... BSC093N15NS5 , BSC094N06LS5 , BSC096N10LS5 , BSC097N06NST , BSC0993ND , BSC0996NS , BSC110N15NS5 , BSC112N06LD , IRF740 , BSC146N10LS5 , BSC155N06ND , BSC160N15NS5 , BSC350N20NSFD , BSF450NE7NH3G , BSS340NW , BSZ009NE2LS5 , BSZ010NE2LS5 .

History: VBK162K | SVSP11N60SD2TR | PMPB20UN | IPA90R1K2C3 | IXFV30N60P | AM30P10-80D | 2N4119A

 

 
Back to Top

 


 
.