Справочник MOSFET. BSC13DN30NSFD

 

BSC13DN30NSFD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC13DN30NSFD
   Маркировка: 13DN30NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSO8

 Аналог (замена) для BSC13DN30NSFD

 

 

BSC13DN30NSFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:921K  infineon
 bsc13dn30nsfd.pdf

BSC13DN30NSFD BSC13DN30NSFD

BSC13DN30NSFDMOSFETSuperSO8OptiMOSTM3 Power-Transistor, 300 V5867Features 7685 N-channel, normal level 175 C rated Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Qualified according to JEDEC1) for target application3 14 Halogen-free according to IEC

 9.1. Size:595K  infineon
 bsc130p03lsg .pdf

BSC13DN30NSFD BSC13DN30NSFD

BSC130P03LS GOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS -30 V P-ChannelRDS(on),max 13mW Enhancement modeID -22.5 A Logic level 150C operating temperature Avalanche rated; RoHS compliantPG-TDSON-8 Vgs=25V, specially suited for notebook applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free lead plating; RoHS compliant

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top