BSC146N10LS5 Todos los transistores

 

BSC146N10LS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC146N10LS5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0146 Ohm
   Paquete / Cubierta: SUPERSO8
 

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BSC146N10LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1079K  infineon
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BSC146N10LS5

BSC146N10LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Halogen-free according to IEC61249-2-213 14Product validationFully qualified acco

Otros transistores... BSC094N06LS5 , BSC096N10LS5 , BSC097N06NST , BSC0993ND , BSC0996NS , BSC110N15NS5 , BSC112N06LD , BSC13DN30NSFD , IRF840 , BSC155N06ND , BSC160N15NS5 , BSC350N20NSFD , BSF450NE7NH3G , BSS340NW , BSZ009NE2LS5 , BSZ010NE2LS5 , BSZ011NE2LS5I .

History: APQ5ESN40A | FQD7N20LTF | HGN036N08AL | HY4N60T | AUIRFR2607Z | HFP8N70U

 

 
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