BSC146N10LS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC146N10LS5
   Código: 146N10LS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Tiempo de subida (tr): 3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0146 Ohm
   Paquete / Cubierta: SUPERSO8

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BSC146N10LS5 Datasheet (PDF)

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bsc146n10ls5.pdf

BSC146N10LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Halogen-free according to IEC61249-2-213 14Product validationFully qualified acco

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Liste

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