Справочник MOSFET. BSC146N10LS5

 

BSC146N10LS5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC146N10LS5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0146 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSO8
 

 Аналог (замена) для BSC146N10LS5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC146N10LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1079K  infineon
 bsc146n10ls5.pdf pdf_icon

BSC146N10LS5

BSC146N10LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Halogen-free according to IEC61249-2-213 14Product validationFully qualified acco

Другие MOSFET... BSC094N06LS5 , BSC096N10LS5 , BSC097N06NST , BSC0993ND , BSC0996NS , BSC110N15NS5 , BSC112N06LD , BSC13DN30NSFD , IRF840 , BSC155N06ND , BSC160N15NS5 , BSC350N20NSFD , BSF450NE7NH3G , BSS340NW , BSZ009NE2LS5 , BSZ010NE2LS5 , BSZ011NE2LS5I .

History: IMW65R048M1H | AM7412N

 

 
Back to Top

 


 
.