BSC350N20NSFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC350N20NSFD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 137 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: SUPERSO8
Búsqueda de reemplazo de BSC350N20NSFD MOSFET
BSC350N20NSFD Datasheet (PDF)
bsc350n20nsfd.pdf

BSC350N20NSFDMOSFETSuperSO8OptiMOSTM3 Power-Transistor, 200 V5867Features 7685 N-channel, normal level 175 C rated Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Qualified according to JEDEC1) for target application3 14 Halogen-free according to IEC
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History: FMP12N50ES | FDU6612A | AP9465BGH | 2SK1439 | AONS66920 | IXFT24N50Q | HM4843
History: FMP12N50ES | FDU6612A | AP9465BGH | 2SK1439 | AONS66920 | IXFT24N50Q | HM4843



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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