BSC350N20NSFD - описание и поиск аналогов

 

BSC350N20NSFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC350N20NSFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SUPERSO8

Аналог (замена) для BSC350N20NSFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC350N20NSFD даташит

 ..1. Size:931K  infineon
 bsc350n20nsfd.pdf pdf_icon

BSC350N20NSFD

BSC350N20NSFD MOSFET SuperSO8 OptiMOSTM3 Power-Transistor, 200 V 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 N-channel, normal level 175 C rated Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 1 3 2 2 Qualified according to JEDEC1) for target application 3 1 4 Halogen-free according to IEC

Другие MOSFET... BSC0993ND , BSC0996NS , BSC110N15NS5 , BSC112N06LD , BSC13DN30NSFD , BSC146N10LS5 , BSC155N06ND , BSC160N15NS5 , IRF540 , BSF450NE7NH3G , BSS340NW , BSZ009NE2LS5 , BSZ010NE2LS5 , BSZ011NE2LS5I , BSZ013NE2LS5I , BSZ017NE2LS5I , BSZ018N04LS6 .

History: FDS3590 | G16P03S | CS5N60A4H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.