Справочник MOSFET. BSC350N20NSFD

 

BSC350N20NSFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC350N20NSFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSO8
 

 Аналог (замена) для BSC350N20NSFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC350N20NSFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:931K  infineon
 bsc350n20nsfd.pdf pdf_icon

BSC350N20NSFD

BSC350N20NSFDMOSFETSuperSO8OptiMOSTM3 Power-Transistor, 200 V5867Features 7685 N-channel, normal level 175 C rated Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Qualified according to JEDEC1) for target application3 14 Halogen-free according to IEC

Другие MOSFET... BSC0993ND , BSC0996NS , BSC110N15NS5 , BSC112N06LD , BSC13DN30NSFD , BSC146N10LS5 , BSC155N06ND , BSC160N15NS5 , IRF540N , BSF450NE7NH3G , BSS340NW , BSZ009NE2LS5 , BSZ010NE2LS5 , BSZ011NE2LS5I , BSZ013NE2LS5I , BSZ017NE2LS5I , BSZ018N04LS6 .

History: IPW60R045P7 | 10N65KL-TF1-T | AP4501GH-HF | 10N60L-TF3T-T | AOTF190A60L | 12P10L-TN3-R | AP90T03GJ

 

 
Back to Top

 


 
.