BSC350N20NSFD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BSC350N20NSFD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: SUPERSO8
Аналог (замена) для BSC350N20NSFD
BSC350N20NSFD Datasheet (PDF)
bsc350n20nsfd.pdf

BSC350N20NSFDMOSFETSuperSO8OptiMOSTM3 Power-Transistor, 200 V5867Features 7685 N-channel, normal level 175 C rated Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Qualified according to JEDEC1) for target application3 14 Halogen-free according to IEC
Другие MOSFET... BSC0993ND , BSC0996NS , BSC110N15NS5 , BSC112N06LD , BSC13DN30NSFD , BSC146N10LS5 , BSC155N06ND , BSC160N15NS5 , IRF540 , BSF450NE7NH3G , BSS340NW , BSZ009NE2LS5 , BSZ010NE2LS5 , BSZ011NE2LS5I , BSZ013NE2LS5I , BSZ017NE2LS5I , BSZ018N04LS6 .
History: 2SK1630 | 4N65L-TF2-T | TMD4N60H | CRTS030N04L | FQA160N08 | AP2325GEU6-HF | STD30N10F7
History: 2SK1630 | 4N65L-TF2-T | TMD4N60H | CRTS030N04L | FQA160N08 | AP2325GEU6-HF | STD30N10F7



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f