Справочник MOSFET. BSC350N20NSFD

 

BSC350N20NSFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC350N20NSFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC350N20NSFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:931K  infineon
 bsc350n20nsfd.pdf pdf_icon

BSC350N20NSFD

BSC350N20NSFDMOSFETSuperSO8OptiMOSTM3 Power-Transistor, 200 V5867Features 7685 N-channel, normal level 175 C rated Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Qualified according to JEDEC1) for target application3 14 Halogen-free according to IEC

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI3803PBF | IMZ120R350M1H | NCE80H12

 

 
Back to Top

 


 
.