BSZ009NE2LS5 Todos los transistores

 

BSZ009NE2LS5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSZ009NE2LS5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0009 Ohm

Encapsulados: TSDSON-8

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BSZ009NE2LS5 datasheet

 ..1. Size:1211K  infineon
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BSZ009NE2LS5

BSZ009NE2LS5 MOSFET TSDSON-8 FL OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V (enlarged source interconnection) Features Optimized for e-fuse and ORing application Very low on-resistance R DS(on) 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product validation Fully qualifi

Otros transistores... BSC112N06LD , BSC13DN30NSFD , BSC146N10LS5 , BSC155N06ND , BSC160N15NS5 , BSC350N20NSFD , BSF450NE7NH3G , BSS340NW , IRFZ44 , BSZ010NE2LS5 , BSZ011NE2LS5I , BSZ013NE2LS5I , BSZ017NE2LS5I , BSZ018N04LS6 , BSZ021N04LS6 , BSZ024N04LS6 , BSZ031NE2LS5 .

History: JBL101N | SWC2N40D | SM104 | CMP40P03 | 2SK1029 | AP10TN008CMT | RU30P40M3

 

 

 

 

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