BSZ009NE2LS5 Todos los transistores

 

BSZ009NE2LS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ009NE2LS5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSZ009NE2LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1211K  infineon
 bsz009ne2ls5.pdf pdf_icon

BSZ009NE2LS5

BSZ009NE2LS5MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for e-fuse and ORing application Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualifi

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History: HAT2153R | IXTQ130N20T | IRFY240CM | ZXMP6A18DN8TA | BLM12N08-D | 2N6904 | 3SK180-5

 

 
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