Справочник MOSFET. BSZ009NE2LS5

 

BSZ009NE2LS5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ009NE2LS5
   Маркировка: 09NE2L5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 92 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0009 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ009NE2LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1211K  infineon
 bsz009ne2ls5.pdf pdf_icon

BSZ009NE2LS5

BSZ009NE2LS5MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for e-fuse and ORing application Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualifi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP4800DGM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.