Справочник MOSFET. BSZ009NE2LS5

 

BSZ009NE2LS5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ009NE2LS5
   Маркировка: 09NE2L5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 92 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0009 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSZ009NE2LS5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ009NE2LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1211K  infineon
 bsz009ne2ls5.pdf pdf_icon

BSZ009NE2LS5

BSZ009NE2LS5MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for e-fuse and ORing application Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualifi

Другие MOSFET... BSC112N06LD , BSC13DN30NSFD , BSC146N10LS5 , BSC155N06ND , BSC160N15NS5 , BSC350N20NSFD , BSF450NE7NH3G , BSS340NW , IRFZ44 , BSZ010NE2LS5 , BSZ011NE2LS5I , BSZ013NE2LS5I , BSZ017NE2LS5I , BSZ018N04LS6 , BSZ021N04LS6 , BSZ024N04LS6 , BSZ031NE2LS5 .

 

 
Back to Top

 


 
.