BSZ037N06LS5 Todos los transistores

 

BSZ037N06LS5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSZ037N06LS5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm

Encapsulados: TSDSON-8

 Búsqueda de reemplazo de BSZ037N06LS5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BSZ037N06LS5 datasheet

 ..1. Size:1210K  infineon
bsz037n06ls5.pdf pdf_icon

BSZ037N06LS5

BSZ037N06LS5 MOSFET TSDSON-8 FL OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V (enlarged source interconnection) Features Optimized for high performance SMPS, e.g. sync rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Indus

 9.1. Size:595K  infineon
bsz036ne2ls.pdf pdf_icon

BSZ037N06LS5

For BSZ036NE2LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 25 V Optimized for high performance Buck converter (Server,VGA) RDS(on),max VGS=10 V 3.6 mW Very Low FOMQOSS for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 5.1 Low FOMSW for High Frequency SMPS ID 40 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS PG-TS

 9.2. Size:1615K  infineon
bsz033ne2ls5.pdf pdf_icon

BSZ037N06LS5

 9.3. Size:560K  infineon
bsz035n03ms bsz035n03msg.pdf pdf_icon

BSZ037N06LS5

BSZ035N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 3.5 mW Low FOMSW for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 4.3 100% avalanche tested ID 40 A PG-TSDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FO

Otros transistores... BSZ011NE2LS5I , BSZ013NE2LS5I , BSZ017NE2LS5I , BSZ018N04LS6 , BSZ021N04LS6 , BSZ024N04LS6 , BSZ031NE2LS5 , BSZ033NE2LS5 , 10N60 , BSZ039N06NS , BSZ040N06LS5 , BSZ0500NSI , BSZ0589NS , BSZ063N04LS6 , BSZ065N06LS5 , BSZ0703LS , BSZ070N08LS5 .

History: IRLML6402GPBF | AP3989R | KHB1D9N60D

 

 

 


History: IRLML6402GPBF | AP3989R | KHB1D9N60D

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10

 

 

 

Popular searches

y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor

 

 

↑ Back to Top
.