BSZ040N06LS5 Todos los transistores

 

BSZ040N06LS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ040N06LS5
   Código: 040N06L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8
 

 Búsqueda de reemplazo de BSZ040N06LS5 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSZ040N06LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1457K  infineon
 bsz040n06ls5.pdf pdf_icon

BSZ040N06LS5

BSZ040N06LS5MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM Power-Transistor, 60 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Tab

 6.1. Size:326K  infineon
 bsz040n04lsg.pdf pdf_icon

BSZ040N06LS5

BSZ040N04LS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeatures V 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPS R 4.0mDS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 40 ADPG-TSDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) S

 9.1. Size:447K  infineon
 bsz042n06ns.pdf pdf_icon

BSZ040N06LS5

TypeBSZ042N06NSOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 4.2 mW Superior thermal resistanceID 40 A N-channelQOSS nC 32 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 27 Pb-free lead plating; RoHS compliantTSDSON

 9.2. Size:475K  infineon
 bsz042n04nsg.pdf pdf_icon

BSZ040N06LS5

BSZ042N04NS GProduct Summary 3 Power-TransistorV 40 VDSFeaturesR 4.2mWDS(on),max Fast switching MOSFET for SMPSI 40 AD Optimized technology for DC/DC convertersPG-TSDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Super

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... BSZ017NE2LS5I , BSZ018N04LS6 , BSZ021N04LS6 , BSZ024N04LS6 , BSZ031NE2LS5 , BSZ033NE2LS5 , BSZ037N06LS5 , BSZ039N06NS , IRFP250N , BSZ0500NSI , BSZ0589NS , BSZ063N04LS6 , BSZ065N06LS5 , BSZ0703LS , BSZ070N08LS5 , BSZ0909ND , BSZ0994NS .

 

 
Back to Top

 


 
.