Справочник MOSFET. BSZ040N06LS5

 

BSZ040N06LS5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSZ040N06LS5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON-8

 Аналог (замена) для BSZ040N06LS5

 

 

BSZ040N06LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1457K  infineon
bsz040n06ls5.pdf

BSZ040N06LS5
BSZ040N06LS5

BSZ040N06LS5MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM Power-Transistor, 60 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Tab

 6.1. Size:326K  infineon
bsz040n04lsg.pdf

BSZ040N06LS5
BSZ040N06LS5

BSZ040N04LS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeatures V 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPS R 4.0mDS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 40 ADPG-TSDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) S

 9.1. Size:447K  infineon
bsz042n06ns.pdf

BSZ040N06LS5
BSZ040N06LS5

TypeBSZ042N06NSOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 4.2 mW Superior thermal resistanceID 40 A N-channelQOSS nC 32 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 27 Pb-free lead plating; RoHS compliantTSDSON

 9.2. Size:475K  infineon
bsz042n04nsg.pdf

BSZ040N06LS5
BSZ040N06LS5

BSZ042N04NS GProduct Summary 3 Power-TransistorV 40 VDSFeaturesR 4.2mWDS(on),max Fast switching MOSFET for SMPSI 40 AD Optimized technology for DC/DC convertersPG-TSDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Super

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top