BSZ146N10LS5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSZ146N10LS5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0146 Ohm
Encapsulados: TSDSON-8
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BSZ146N10LS5 datasheet
bsz146n10ls5.pdf
BSZ146N10LS5 MOSFET TSDSON-8 FL OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V (enlarged source interconnection) Features Ideal for high frequency switching Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) N-channel, Logic level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target app
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