BSZ146N10LS5 Todos los transistores

 

BSZ146N10LS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ146N10LS5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0146 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8
 

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BSZ146N10LS5 Datasheet (PDF)

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BSZ146N10LS5

BSZ146N10LS5MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V(enlarged source interconnection)Features Ideal for high frequency switching Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, Logic level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target app

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History: SIHFPE30

 

 
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