BSZ146N10LS5 - описание и поиск аналогов

 

BSZ146N10LS5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSZ146N10LS5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0146 Ohm

Тип корпуса: TSDSON-8

Аналог (замена) для BSZ146N10LS5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ146N10LS5 даташит

 ..1. Size:1453K  infineon
 bsz146n10ls5.pdf pdf_icon

BSZ146N10LS5

BSZ146N10LS5 MOSFET TSDSON-8 FL OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V (enlarged source interconnection) Features Ideal for high frequency switching Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) N-channel, Logic level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target app

Другие MOSFET... BSZ0589NS , BSZ063N04LS6 , BSZ065N06LS5 , BSZ0703LS , BSZ070N08LS5 , BSZ0909ND , BSZ0994NS , BSZ099N06LS5 , STP75NF75 , BSZ300N15NS5 , BTS247Z , IAUC100N10S5N040 , IAUC120N04S6L008 , IAUC120N04S6N009 , IAUS180N04S4N015 , IMW120R030M1H , IMW120R045M1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.