BSZ146N10LS5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BSZ146N10LS5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0146 Ohm
Тип корпуса: TSDSON-8
Аналог (замена) для BSZ146N10LS5
BSZ146N10LS5 Datasheet (PDF)
bsz146n10ls5.pdf

BSZ146N10LS5MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V(enlarged source interconnection)Features Ideal for high frequency switching Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, Logic level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target app
Другие MOSFET... BSZ0589NS , BSZ063N04LS6 , BSZ065N06LS5 , BSZ0703LS , BSZ070N08LS5 , BSZ0909ND , BSZ0994NS , BSZ099N06LS5 , SKD502T , BSZ300N15NS5 , BTS247Z , IAUC100N10S5N040 , IAUC120N04S6L008 , IAUC120N04S6N009 , IAUS180N04S4N015 , IMW120R030M1H , IMW120R045M1 .
History: IRF7307Q | JMTP3008A | STB15N65M5
History: IRF7307Q | JMTP3008A | STB15N65M5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646