Справочник MOSFET. BSZ146N10LS5

 

BSZ146N10LS5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ146N10LS5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0146 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSZ146N10LS5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ146N10LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1453K  infineon
 bsz146n10ls5.pdf pdf_icon

BSZ146N10LS5

BSZ146N10LS5MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V(enlarged source interconnection)Features Ideal for high frequency switching Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, Logic level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target app

Другие MOSFET... BSZ0589NS , BSZ063N04LS6 , BSZ065N06LS5 , BSZ0703LS , BSZ070N08LS5 , BSZ0909ND , BSZ0994NS , BSZ099N06LS5 , 12N60 , BSZ300N15NS5 , BTS247Z , IAUC100N10S5N040 , IAUC120N04S6L008 , IAUC120N04S6N009 , IAUS180N04S4N015 , IMW120R030M1H , IMW120R045M1 .

History: GSM3346W | IAUS180N04S4N015 | NCEP016N60VD | APM8001K | AP9465AGH | TTD30P03AT | STR2P3LLH6

 

 
Back to Top

 


 
.